| 生產成本一直是製造半導體元件和電路的重要考慮因素。如何降低成本成為產品量產很重要的課題。本篇研究採用二硫化鉬(MoS2)材料的場效電晶體,該電晶體可在同一元件中選擇性操作p 型或n 型特性。且該元件具有可調整的臨界電壓(Vth),透過添加一層等離子化的介電層在上閘極結構上來改變該臨界電壓。由於成長相對較薄的介電層促進了氧的過量,這使得在該介電層中產生負電荷,而不是在底部介電層中常見的正電荷。因此,造成臨界電壓位移並且上閘極結構特性從典型的n型切換到p型,而在施加下閘極電壓時仍保持n型行為。通過施加上閘極脈衝,甚至可以進一步微調元件臨界電壓的特性。因此,這裡也呈現了具有可調整元件特性的互補邏輯反相器。與現有研究相比,我們的元件可以節省幾乎一半的元件數量,明顯會降低成本價格。這個概念對於未來製造先進元件是非常有用且有價值的。more |