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低維度半導體雙邊研討會於2024年12月5日至6日,在國立臺灣師範大學公館校區物理學系舉辦。本次研討會由教育部「玉山學者計畫」、日本「JST CREST 和 PRESTO 計畫」、及本校研究發展處共同贊助,匯聚來自臺灣和日本的頂尖及年輕學者,及台積電研發技術主管參與,目的是促進低維度半導體領域的最新研究成果交流,並討論未來發展方向。
本次參與研討會的日本學校包括東京大學、京都大學、名古屋大學、北海道大學、理化學研究所,兩天的研討會涵蓋多項重要主題,包括:一維奈米碳管與氮化硼異質結構的製程技術、二維層狀半導體在電晶體上的應用、雙層3R結構二硫化鉬滑移鐵電電晶體、及莫瑞異質雙層結構的光量子現象等。會議期間討論熱烈,與會者透過主題演講與口頭報告深入掌握最新研究進展,並進行深度交流,進一步促進雙邊學術研究合作。
為促進與會人士與臺師大物理學系研究生的交流,特別安排參觀物理學系從事半導體相關研究的實驗室。透過實地觀摩及研究生的詳細解說,與會者對低維度半導體研究技術有更全面且深入的了解。
在座談會中,與會人士一致表示:「此次研討會充分展現臺日學術合作的巨大潛力,並對未來在低維度半導體領域實現更多突破性成果充滿期待。」此外,來自台積電的專家,亦分享在半導體技術縮小化及其商業應用中的挑戰與機遇,為下一階段的研究提供明確的方向和建議。(撰稿:物理系 / 攝影:光電116柯曉禹 / 編輯:張適 / 核稿:胡世澤、鄧麗君)