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記憶體突破 體積縮小、容量更大
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成大團隊登國際期刊
全球革命性突破!成大團隊開發出光控多位元記憶體,以多鐵性材料「鐵酸鉍」加上獨步的光控技術存取資料,儲存密度可比市面上既有記憶體高出一百倍,研究受到國際肯定,本月六日登上應用物理界排名第一的國際期刊「自然材料」。
成功大學物理系助理教授楊展其和教授陳宜君團隊,突破記憶體傳統0和一的儲存方式,以多鐵性材料鐵酸鉍開發出光控多位元記憶體,具有八種記憶組態。

楊展其表示,鐵酸鉍是一種多鐵性材料,本身具有三種鐵序性,包含鐵磁、反鐵磁和鐵電,而磁性包含N極和S極,電則有正負電,利用這三種特性,可以做出三位元、八種記憶組態,搭配多位元演算法,理論上單位體積儲存密度,可以比現在矽晶做的記憶體,大上十倍到一百倍。

團隊採用光控技術來存取資料,楊展其說,現在的記憶體讀取和寫入資訊,是透過電壓來改變材料狀態,但是這樣還要進一步設計電路,團隊提出關鍵光控技術,以光照的方式來存取資料,利用光撓效應控制記憶體,透過光照產生的局部形變,進而控制鐵酸鉍的多位元記憶組態。

楊展其指出,由於材料長好後本身就是元件,所以不需要複雜電路設計,還可以同時調控多位元記憶狀態,可以大幅縮小記憶體的體積,提升存儲效益,使材料能直接導入量子儲存、量子通訊領域。

陳宜君表示,而且鐵酸鉍記憶體更穩定,不插電就可以保持記憶,且溫度超過攝氏四百度仍能維持記憶組態。

楊展其和陳宜君兩人都是台灣本土培養的學者,楊展其是交通大學材料博士、陳宜君是台灣師範大學物理博士,年僅三十二歲的楊展其,更是成大物理系最年輕的老師,並拿到科技部愛因斯坦計畫補助。楊展其感慨說,這次能成功在自然材料期刊刊登,證明台灣本土研究人才在世界頂尖研究上可以佔有一席之地,對他來說意義重大。

 
資料來源: 自由時報/A12 生活新聞 報導日期: 2019-05-23 點閱人次: 89人
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